三星內(nèi)存芯片認(rèn)證取得突破,攜手英偉達(dá)反擊高端市場
近日,三星電子宣布其內(nèi)存芯片認(rèn)證取得重大進(jìn)展,有望很快向全球領(lǐng)先的圖形處理器(GPU)制造商英偉達(dá)供貨。這一消息不僅為三星電子的未來發(fā)展注入了強(qiáng)勁動力,也深刻影響了整個半導(dǎo)體行業(yè)的競爭格局。
據(jù)三星電子在財報電話會上透露,公司在向英偉達(dá)供應(yīng)人工智能(AI)內(nèi)存芯片方面取得重要進(jìn)展。三星電子內(nèi)存業(yè)務(wù)執(zhí)行副總裁Jaejune Kim表示,在與英偉達(dá)資格認(rèn)證過程的關(guān)鍵階段,三星取得了“重要”進(jìn)展,并預(yù)計將在第四季度出售其最先進(jìn)的HBM3E內(nèi)存芯片。
早在今年3月,英偉達(dá)CEO黃仁勛就公開透露,公司已經(jīng)開始驗證三星提供的HBM內(nèi)存芯片,旨在提升產(chǎn)品性能,滿足日益增長的數(shù)據(jù)處理需求。然而,這一過程并非一帆風(fēng)順。5月間,有傳聞稱三星的HBM內(nèi)存芯片因發(fā)熱和功耗問題未能一次性通過測試,引發(fā)了業(yè)界的廣泛討論與猜測。但三星電子并未氣餒,而是迅速組織技術(shù)團(tuán)隊,針對反饋的問題進(jìn)行深入分析與優(yōu)化。
經(jīng)過數(shù)月的努力與調(diào)整,三星電子成功通過英偉達(dá)的HBM3E(高帶寬內(nèi)存)質(zhì)量測試。這一成果標(biāo)志著三星電子在高端內(nèi)存技術(shù)領(lǐng)域的又一重大突破。據(jù)悉,此次通過質(zhì)量測試是三星電子在英偉達(dá)嚴(yán)格要求下,歷經(jīng)數(shù)月努力與調(diào)整的成果。隨著三星即將開始大規(guī)模生產(chǎn)HBM內(nèi)存芯片,并與英偉達(dá)就供應(yīng)問題展開深入談判,業(yè)界普遍預(yù)期,這將對下半年乃至未來幾年的HBM市場格局產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響。
與此同時,三星電子公布的財報顯示,公司芯片部門第三季度實現(xiàn)營業(yè)利潤3.9萬億韓元,遠(yuǎn)低于上一季度的6.45萬億韓元,環(huán)比大降近40%。作為全球最大的存儲芯片巨頭,三星錯失了人工智能熱潮這一良機(jī),遠(yuǎn)落后于從中大賺特賺的競爭對手SK海力士。分析認(rèn)為,三星高管此番透露與英偉達(dá)的合作進(jìn)展,是為了安撫投資者。
三星電子副董事長兼設(shè)備解決方案部門主管Jun Young-hyun在發(fā)布業(yè)績預(yù)告時發(fā)表了道歉聲明,指出三星的HBM3E芯片未能通過英偉達(dá)等關(guān)鍵客戶的標(biāo)準(zhǔn)審核,導(dǎo)致訂單流失。為了扭轉(zhuǎn)這一局面,三星正在削減其傳統(tǒng)內(nèi)存的產(chǎn)量,以加快部門向尖端制造工藝的轉(zhuǎn)型。在三星內(nèi)部,與內(nèi)存相關(guān)的資本支出將優(yōu)先考慮高端產(chǎn)品。公司預(yù)計,今年芯片相關(guān)的資本支出總額將達(dá)到47.9萬億韓元,明年下半年將量產(chǎn)下一代HBM4芯片。
此次合作不僅對于三星電子和英偉達(dá)雙方具有重要意義,更對整個半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展趨勢產(chǎn)生了深遠(yuǎn)影響。隨著數(shù)據(jù)中心、人工智能、高性能計算等領(lǐng)域?qū)Ω邘?、低延遲內(nèi)存需求的日益增長,HBM技術(shù)的普及和應(yīng)用將成為推動行業(yè)進(jìn)步的關(guān)鍵力量。而三星電子與英偉達(dá)的成功合作,無疑為這一進(jìn)程注入了新的活力與可能。
然而,投資者對于三星能否重新進(jìn)入高帶寬內(nèi)存市場持謹(jǐn)慎態(tài)度。現(xiàn)代汽車證券公司分析師Greg Roh表示,“即使三星成為繼SK海力士之后的另一家供應(yīng)商,其能否從英偉達(dá)那里獲得可觀的市場份額,我們還得拭目以待?!?/span>
三星電子此次在內(nèi)存芯片認(rèn)證方面取得的重大進(jìn)展,不僅為其未來發(fā)展注入了強(qiáng)勁動力,也為其在全球半導(dǎo)體行業(yè)中的地位帶來了新的機(jī)遇與挑戰(zhàn)。隨著三星電子與英偉達(dá)的合作逐步深入,相信雙方將共同推動HBM技術(shù)的發(fā)展與應(yīng)用,為整個半導(dǎo)體行業(yè)帶來新的變革與突破。
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