英偉達加速布局，要求SK海力士提前供應新一代HBM4芯片

韓國SK集團會長崔泰源11月4日表示，英偉達公司CEO黃仁勛向內存制造商SK海力士發(fā)出了一項關鍵指令，要求其提前六個月供應下一代高帶寬內存芯片HBM4。

據了解，SK海力士原計劃于2025年下半年向客戶供應HBM4芯片。然而，英偉達為了滿足市場對高性能內存芯片的迫切需求，要求SK海力士將供應時間提前六個月。這一時間調整反映出英偉達在全球半導體行業(yè)中的強大影響力，同時也凸顯了當今科技對高性能內存的迫切需求。

HBM4內存芯片采用了先進的12層DRAM堆疊技術，相較于上一代產品，具有更高的帶寬和更低的功耗。這款芯片將在明年正式面世，而16層堆疊的產品則預計于2026年推出。隨著人工智能和圖形計算市場的快速發(fā)展，高效的內存支持變得越來越重要。HBM4的問世將大幅提升相關應用的計算效率，推動創(chuàng)作工具的更新?lián)Q代。

值得注意的是，SK海力士與臺積電早在今年4月就已簽署了合作諒解備忘錄，雙方將共同推進HBM內存的設計和生產。為應對日益增長的AI計算需求，SK海力士、臺積電和英偉達正在組建所謂的“三角聯(lián)盟”，旨在共同研發(fā)未來的高帶寬內存技術，進一步加強在市場中的競爭力。

在財務表現(xiàn)方面，SK海力士最近發(fā)布的2024財年第三季度財報顯示，合并收入達到17.5731萬億韓元(約合908.35億元人民幣)，環(huán)比增長7%，同比增長高達94%。這一增長很大程度上得益于HBM產品的銷售，其中HBM系列的銷售額預計在今年第四季度將占到總銷售額的40%。這表明市場對高帶寬內存的需求正在迅速攀升，且SK海力士的產品在該細分市場中扮演了重要角色。

英偉達此次要求提前供應HBM4芯片，也與其在全球高性能計算和人工智能應用領域的布局密切相關。隨著AI繪畫、AI生文等新興領域的出現(xiàn)，更多創(chuàng)作工具依賴高效的內存處理能力。HBM4芯片將極大提升這些工具的運行效率，形成更流暢的用戶體驗。

展望未來，隨著AI技術的不斷發(fā)展和普及，高性能內存的需求將持續(xù)增長。英偉達、SK海力士和臺積電組成的“三角聯(lián)盟”將在高帶寬內存技術的研發(fā)和生產方面發(fā)揮重要作用，推動市場不斷向前發(fā)展。