英飛凌推出全球最薄硅功率晶圓：20μm厚，基板電阻降低50%

10月29日消息，英飛凌科技公司(Infineon Technologies AG)宣布了一項半導(dǎo)體行業(yè)的重大突破——成功推出全球最薄的硅功率晶圓，其厚度僅為20μm。這一創(chuàng)新不僅標(biāo)志著英飛凌在半導(dǎo)體處理技術(shù)上的領(lǐng)先地位，也為未來智能能源的應(yīng)用奠定了堅實基礎(chǔ)。

據(jù)悉，這款硅功率晶圓的直徑為30mm，厚度相當(dāng)于人類頭發(fā)絲的四分之一。與目前市場上主流的40到60μm厚度的晶圓相比，英飛凌此次發(fā)布的晶圓在技術(shù)上實現(xiàn)了顯著的突破。這一創(chuàng)新使得晶圓在保持高性能的同時，實現(xiàn)了更小的體積和更低的能耗。

英飛凌官方表示，通過將晶圓厚度減半，可以顯著降低基板電阻，降幅達到50%。這一改進使得功率系統(tǒng)中的功率損耗減少了15%以上。對于高端AI服務(wù)器應(yīng)用來說，這一改進尤為重要。隨著電流的增大，能源需求也會相應(yīng)上升，因此，將電壓從230V降低到1.8V以下的處理器電壓對于功率轉(zhuǎn)換來說至關(guān)重要。英飛凌的超薄晶圓技術(shù)正是通過降低功耗和提高效率，滿足了這一迫切需求。

此外，超薄晶圓技術(shù)還大大促進了垂直功率傳輸設(shè)計的發(fā)展。這種設(shè)計能夠?qū)崿F(xiàn)與AI芯片處理器的高度集成，從而在減少功率損耗的同時提高了整體效率。據(jù)英飛凌介紹，這一技術(shù)已被應(yīng)用于集成智能功率級(直流-直流轉(zhuǎn)換器)中，并已交付給首批客戶。

英飛凌預(yù)測，在未來三到四年內(nèi)，現(xiàn)有的傳統(tǒng)晶圓技術(shù)將被用于低壓功率轉(zhuǎn)換器的替代技術(shù)所取代。這一預(yù)測不僅基于英飛凌在半導(dǎo)體技術(shù)上的領(lǐng)先地位，也反映了市場對高效、節(jié)能和小型化半導(dǎo)體產(chǎn)品的迫切需求。

英飛凌科技公司此次推出的全球最薄硅功率晶圓，不僅是一次半導(dǎo)體技術(shù)的重大突破，更是推動智能能源進步的重要一步。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展與應(yīng)用，我們有理由相信，未來的能源系統(tǒng)將會更加高效、更加智能，為全球可持續(xù)發(fā)展的目標(biāo)實現(xiàn)提供有力支持。

英飛凌表示，公司計劃在2024年慕尼黑國際電子元器件博覽會上公開展示這款超薄硅晶圓產(chǎn)品。屆時，全球各地的客戶和合作伙伴將有機會近距離感受這一創(chuàng)新技術(shù)的魅力，并探討其在各個領(lǐng)域的應(yīng)用前景。