三星2025年初引入High NA EUV光刻機，全力沖刺1nm芯片研發(fā)

據(jù)10月30日消息，韓媒ETNews報道，三星電子已決定在2025年初引進其首臺ASML High NA EUV光刻機，此舉標志著三星將正式加入與英特爾、臺積電在下代光刻技術商業(yè)化研發(fā)領域的競爭。

ASML High NA EUV光刻機作為2納米以下先進制程的關鍵設備，對于三星電子加速推進1納米芯片的商用化進程具有重要意義。據(jù)悉，三星此前已經(jīng)與比利時微電子研究中心imec合作，在imec與ASML聯(lián)手建立的High NA EUV光刻實驗室進行了初步探索。此次引進自有High NA機臺，將極大加速三星的研發(fā)進程。

據(jù)了解，ASML首代High NA EUV光刻機型號為EXE:5000。由于光刻機精密復雜，需要一段時間用于安裝和調(diào)試，因此該機臺有望在2025年中旬正式投入研發(fā)使用。三星目前半導體先進制程路線圖已規(guī)劃至SF1.4節(jié)點，預計于2027年實現(xiàn)量產(chǎn)，而采用High-NA光刻的制程最早也需要在SF1節(jié)點實現(xiàn)。

在先進制程代工領域，三星的主要競爭對手英特爾和臺積電也在積極布局。英特爾已完成第二臺High NA EUV光刻機的安裝，臺積電的首個機臺也將于今年內(nèi)實現(xiàn)交付。此外，在存儲領域，SK海力士的首臺High NA EUV光刻機也有望在2026年引入。

值得一提的是，三星在加速1nm工藝研發(fā)方面信心十足。根據(jù)海外媒體Sammobile的消息，三星計劃在2024年6月于美國召開的晶圓代工論壇上正式公布其1nm制程工藝計劃。據(jù)悉，該計劃將1nm的量產(chǎn)時間從原本的2027年提前到了2026年。這一提前量產(chǎn)的決定，得益于三星在“Gate-All-Around(GAA)”電流控制技術方面的突破。該技術能顯著降低晶體管的漏電流，提升芯片功率效率，為三星加速推進1nm工藝提供了有力支持。

如果三星在2026年實現(xiàn)1nm芯片量產(chǎn)的消息屬實，那么這將對臺積電的工藝發(fā)展計劃產(chǎn)生一定影響。據(jù)悉，臺積電計劃在2027年達到1.6nm的“A16節(jié)點”，并在2027到2028年左右實現(xiàn)1.4nm工藝的量產(chǎn)。面對三星的強勁競爭，臺積電也在積極布局1nm工藝相關的技術，以保持其在先進制程領域的領先地位。

總的來說，三星在2025年初引進High NA EUV光刻機，將為其加速推進1nm芯片的開發(fā)提供有力保障。隨著全球半導體產(chǎn)業(yè)的不斷發(fā)展，先進制程技術的競爭將越來越激烈，三星能否在1nm工藝領域取得突破，值得業(yè)界期待。