鎧俠將開發(fā)新型CXL存儲：功耗優(yōu)于DRAM，密度與讀取速度超NAND

近日，鎧俠公司宣布了一項重要的技術突破，計劃開發(fā)一種全新的CXL接口存儲技術。這項創(chuàng)新得到了日本新能源產(chǎn)業(yè)技術綜合開發(fā)機構(NEDO)的支持，預計將在后5G信息和通信系統(tǒng)時代為存儲解決方案帶來革命性的變化。

隨著人工智能(AI)技術的普及和應用的深化，數(shù)據(jù)量呈現(xiàn)出指數(shù)級增長的趨勢。傳統(tǒng)的存儲方式，如DRAM和NAND閃存，已逐漸難以滿足日益增長的數(shù)據(jù)處理需求。為此，鎧俠致力于開發(fā)一種新型的CXL存儲技術，旨在解決這一問題。

據(jù)鎧俠介紹，這種新型CXL存儲技術將具有諸多優(yōu)勢。首先，在功耗方面，新型CXL存儲將低于傳統(tǒng)的DRAM內存，這意味著數(shù)據(jù)中心等應用場所可以在保持高性能的同時，實現(xiàn)更低的能耗。其次，在存儲密度方面，新型CXL存儲將提供更高的位密度，使得存儲設備能夠容納更多的數(shù)據(jù)。最后，在讀取速度方面，新型CXL存儲將超越當前的NAND閃存，為用戶提供更快的數(shù)據(jù)讀取體驗。

為了實現(xiàn)這一目標，鎧俠計劃在未來三年內投資約360億日元用于新型CXL存儲器的研發(fā)。此外，日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省也承諾提供180億日元的補貼，以支持該項技術的迅速發(fā)展。鎧俠表示，其目標是使新型CXL存儲在2030年代早期實現(xiàn)商業(yè)化，從而為全球范圍內的數(shù)據(jù)中心和云計算平臺等應用場所帶來顯著的性能提升和成本降低。

值得一提的是，鎧俠已經(jīng)在2023年的閃存峰會(FMS)上展示了基于3D NAND和XL-Flash的兩種CXL存儲設備。這些設備分別面向對性能和可靠性要求高的場景以及對存儲容量要求更高的應用。通過采用特殊的控制器和CXL協(xié)議，這些設備可以實現(xiàn)更低的延遲和更高的性能。

具體來說，基于CXL和XL-Flash的設備主要面向內存數(shù)據(jù)庫和AI推理工作負載等高性能應用場景。而基于CXL和BiCS 3D NAND的設備則主要面向大數(shù)據(jù)和AI訓練等對存儲容量要求更高的應用。在現(xiàn)場展示的1.3 TB CXL 1.1/CXL 2.0 BiCS 3D NAND設備樣品中，采用了E1.S的Form Factor，可以提供更高的性能和散熱能力。

展望未來，鎧俠的新型CXL存儲技術有望在數(shù)據(jù)中心、云計算平臺以及高性能計算(HPC)等領域發(fā)揮重要作用。隨著企業(yè)愈加依賴大型數(shù)據(jù)分析和實時處理能力，對存儲技術的要求也越來越高。鎧俠的新技術不僅能夠滿足當前市場的需求，更能為未來更多數(shù)據(jù)密集型應用提供必要的支持。

對于技術愛好者和行業(yè)決策者來說，鎧俠的這一技術突破無疑是一個值得關注的機遇。若能如期實現(xiàn)商業(yè)化，這項技術極有可能為眾多行業(yè)帶來巨大的變革。無論是在高性能計算、云服務還是在日常消費電子產(chǎn)品中，CXL存儲都有潛力成為不可或缺的重要組成部分。

總之，鎧俠將開發(fā)的新型CXL存儲技術將具有功耗低、密度高和讀取速度快等優(yōu)勢，有望為全球范圍內的數(shù)據(jù)中心和云計算平臺等應用場所帶來顯著的性能提升和成本降低。隨著技術的不斷發(fā)展和市場的不斷拓展，CXL存儲有望成為未來存儲領域的重要趨勢之一。