英偉達(dá)市值飆升，直逼蘋果，達(dá)23.8萬(wàn)億新高度

近日，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST)正式推出了其備受期待的第四代碳化硅(SiC)功率技術(shù)——STPOWER SiC MOSFET。這一創(chuàng)新技術(shù)專為下一代電動(dòng)汽車的電驅(qū)逆變器量身定制，旨在推動(dòng)電動(dòng)汽車行業(yè)的進(jìn)一步發(fā)展和普及。

據(jù)悉，意法半導(dǎo)體的第四代SiC技術(shù)有望在能效、功率密度和穩(wěn)健性方面樹立新的市場(chǎng)標(biāo)桿。該技術(shù)特別針對(duì)電動(dòng)汽車電驅(qū)系統(tǒng)的關(guān)鍵部件逆變器進(jìn)行了優(yōu)化，以滿足日益增長(zhǎng)的電動(dòng)汽車市場(chǎng)對(duì)高性能、高效率和高可靠性器件的需求。

意法半導(dǎo)體模擬、功率與分立器件、MEMS和傳感器產(chǎn)品部(APMS)總裁Marco Cassis表示：“意法半導(dǎo)體一直致力于為市場(chǎng)提供尖端的碳化硅技術(shù)，以推動(dòng)電動(dòng)汽車和高能效工業(yè)的未來(lái)發(fā)展。我們的第四代SiC技術(shù)不僅代表了我們?cè)陔娫崔D(zhuǎn)換技術(shù)上的重大進(jìn)展，更將助力電動(dòng)汽車行業(yè)實(shí)現(xiàn)更廣泛的應(yīng)用?！?/span>

據(jù)介紹，意法半導(dǎo)體的第四代SiC MOSFET具有出色的性能和穩(wěn)健性，能夠滿足未來(lái)電動(dòng)汽車電驅(qū)逆變器的嚴(yán)格要求。其導(dǎo)通電阻(RDS(on))明顯低于前幾代產(chǎn)品，可以最大限度地降低導(dǎo)通損耗，提高系統(tǒng)的整體能效。同時(shí)，第四代SiC的開關(guān)速度更快，開關(guān)損耗更低，這對(duì)于高頻應(yīng)用至關(guān)重要，并可實(shí)現(xiàn)更緊湊、更高效的電源轉(zhuǎn)換器。

值得一提的是，意法半導(dǎo)體的第四代SiC技術(shù)還具備在動(dòng)態(tài)反偏測(cè)試(DRB)條件下的出色穩(wěn)健性表現(xiàn)，超過了AQG324標(biāo)準(zhǔn)，確保在惡劣條件下正?？煽抗ぷ?。這些特性使得第四代SiC MOSFET成為電動(dòng)汽車電驅(qū)逆變器的理想選擇。

在電動(dòng)汽車市場(chǎng)方面，意法半導(dǎo)體的新SiC MOSFET產(chǎn)品提供了750V和1200V兩個(gè)電壓等級(jí)，能夠分別提高400V和800V電動(dòng)汽車平臺(tái)電驅(qū)逆變器的能效和性能。這一技術(shù)優(yōu)勢(shì)不僅適用于高端電動(dòng)汽車，更將擴(kuò)展到中型和緊湊車型，有助于讓電動(dòng)汽車被更多消費(fèi)者接受。

除了電動(dòng)汽車領(lǐng)域，意法半導(dǎo)體的第四代SiC技術(shù)還適用于各種大功率工業(yè)設(shè)備，包括太陽(yáng)能逆變器、儲(chǔ)能解決方案和數(shù)據(jù)中心等日益增長(zhǎng)的應(yīng)用。這些應(yīng)用將受益于SiC技術(shù)的高能效和緊湊尺寸特性，實(shí)現(xiàn)更高的能源效率和更低的運(yùn)營(yíng)成本。

意法半導(dǎo)體已完成第四代SiC技術(shù)平臺(tái)750V電壓等級(jí)的產(chǎn)前認(rèn)證，并計(jì)劃在2025年第一季度完成1200V電壓等級(jí)的認(rèn)證。隨后，標(biāo)稱電壓為750V和1200V的產(chǎn)品將上市銷售，滿足設(shè)計(jì)人員的各種應(yīng)用開發(fā)需求。

此外，意法半導(dǎo)體還計(jì)劃在2027年前推出更多先進(jìn)的SiC技術(shù)創(chuàng)新成果，以履行其創(chuàng)新承諾。未來(lái)，第五代SiC功率器件將采用基于全新工藝的高功率密度創(chuàng)新技術(shù)，進(jìn)一步推動(dòng)電動(dòng)汽車和高能效工業(yè)的發(fā)展。

作為SiC功率MOSFET的市場(chǎng)領(lǐng)跑者，意法半導(dǎo)體已為全球500多萬(wàn)輛乘用車提供STPOWER SiC器件，顯著提高了新能源汽車的性能、效率和續(xù)航里程。此次發(fā)布的第四代SiC技術(shù)，將再次鞏固意法半導(dǎo)體在電動(dòng)汽車和高能效工業(yè)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。