泰克實驗室：量芯微1200V氮化鎵器件測試獲突破

在泰克先進半導(dǎo)體開放實驗室，2024年8月份，我們有幸見證了量芯微(GaN Power)新一代1200V氮化鎵(GaN)功率器件的動態(tài)參數(shù)測試。量芯微作為全球首家成功流片并量產(chǎn)1200V氮化鎵功率器件的廠商，其最新產(chǎn)品在性能上的顯著提升，不僅展現(xiàn)了技術(shù)的進步，也為我們的客戶帶來了新的解決方案。

測試概覽

今年8月，我們收到了量芯微提供的新一代高壓氮化鎵器件，其額定工作條件提升至1200V/20A(70mΩ)，在柵極電壓12V的條件下，輸出電流提升至20A以上。這一性能的提升，使得量芯微的GaN器件在工作性能上可與同規(guī)格的碳化硅(SiC)器件相媲美。

下圖是量芯微提供的TO-247封裝GaN HEMT器件在1200V/15A條件下進行開關(guān)測試的波形，柵極電壓為0-12V，陪測器件使用一顆1200V SiC 二極管。(測試條件：陪測管SiC 二極管，Ron = Roff = 10Ω，負(fù)載電感400uH，Vds: 800V，Vgs: 0~12V, Id: 15A)

測試挑戰(zhàn)與解決方案

平面結(jié)構(gòu)氮化鎵功率器件實現(xiàn)高壓開關(guān)，主要難點是解決電流崩塌問題。GaN功率器件在導(dǎo)通過程中的導(dǎo)通電阻值Rdson值被稱為動態(tài)導(dǎo)通電阻，其詳細(xì)定義和測試方法參見JEP173。常見的GaN器件，當(dāng)工作電壓超過700V時，會出現(xiàn)電流崩塌。動態(tài)導(dǎo)通電阻會突然上升，在大電流、高頻率工作時，這一問題尤其嚴(yán)重，導(dǎo)致器件發(fā)熱，導(dǎo)通損耗加大，電流上升受阻等現(xiàn)象。量芯微這次提供的新一代 1200V 功率器件也是全球第一款在高頻、高壓開關(guān)下實現(xiàn)穩(wěn)定動態(tài)導(dǎo)通電阻的氮化鎵產(chǎn)品。

雙脈沖測試使用泰克先進半導(dǎo)體實驗室提供的DPT1000A測試機臺，測試平臺使用高壓測試板，配備泰克公司高分辨率示波器MSO58B ，1GHz帶寬8通道示波器，AFG31000雙通道信號源和Magnapower 2000V高壓系統(tǒng)電源。使用泰克公司TPP1000A單端探頭測試柵極電壓和THDP0200高壓差分探頭測試源漏極電壓，電流探頭使用T&M公司的400MHz帶寬電流傳感器。

為了驗證動態(tài)導(dǎo)通電阻的性能，我們還使用了帶有鉗位功能的電壓探頭，進行鉗位電壓測試，由于示波器的縱向分辨率有限，即使是高分辨率示波器，也不能在高壓量程下精確測試幾伏特的導(dǎo)通電壓。根據(jù)JEDEC提供的JEP173測試指南，建議通過鉗位電路對導(dǎo)通狀態(tài)下的低壓Vds進行測試(參見下圖)。以往的鉗位電路因為GaN器件測試電壓較低，通常500V耐壓條件就可以滿足測試要求。另外，鉗位電路在開關(guān)過程中會引入較大的震蕩，且震蕩持續(xù)時間較長，影響動態(tài)導(dǎo)通電阻的判斷。這次我們使用了1200V耐壓的鉗位探頭進行Vds測試，用來得到更高電壓條件下的鉗位測試結(jié)果。

測試結(jié)果

得到鉗位后的Vds-clamp電壓和導(dǎo)通電流Id波形后，通過計算可以得到器件在導(dǎo)通狀態(tài)下的動態(tài)導(dǎo)通電阻曲線。我們在雙脈沖測試過程中，同時連接鉗位探頭，實測電路如下圖所示：

下圖是增加了鉗位電壓測試功能的波形結(jié)果，其中CH1是柵極電壓Vgs，CH2是源漏極電壓Vds，C3是漏極電流Id，C4是鉗位后的源漏極電壓Vds-clamp，M1是動態(tài)導(dǎo)通電阻Rdson的計算結(jié)果，計算方法M1 = C4 / C3。放大M1的測試波形，可以在導(dǎo)通階段看到動態(tài)導(dǎo)通電阻波形曲線?？梢钥吹姐Q位電壓波形相對穩(wěn)定，且波形震蕩時間較短，可以在幾百納秒時間內(nèi)獲取穩(wěn)定的動態(tài)導(dǎo)通電阻讀數(shù)。

結(jié)論

根據(jù)計算，Vbus等于400V時，動態(tài)導(dǎo)通電阻約為93mΩ;Vbus等于600V時，動態(tài)導(dǎo)通電阻約為95m歐姆;Vbus等于800V時，動態(tài)導(dǎo)通電阻約為101mΩ。相比在靜態(tài)條件下測試得到的導(dǎo)通電阻74mΩ，開關(guān)條件下隨Vbus電壓上升，器件的動態(tài)導(dǎo)通電阻退化非常有限，且阻值非常接近靜態(tài)導(dǎo)通電阻測試結(jié)果。

測試條件 Vbus(V) Rdsin(ohm)

400V 0.093

Vgs= 0~12V 600V 0.095

Rgon = Rgoff = 10Ω 700V 0.095

Id = 20A 800V 0.101

過去幾年里，行業(yè)對于GaN功率器件是否能夠突破小眾應(yīng)用場景一直保持疑慮。1000V以上應(yīng)用市場仍然屬于硅基IGBT和SiC功率器件。GaN大規(guī)模應(yīng)用意味著它必須支持更寬泛的電壓電流范圍，更多的應(yīng)用場景，以及更好的性價比。量芯微通過不懈努力，使平面結(jié)構(gòu)GaN器件實現(xiàn)1200V高壓工作，其高壓GaN在開關(guān)和靜態(tài)特性上已經(jīng)可以媲美相同規(guī)格的SiC器件。這將為GaN功率器件進一步拓展了新能源，電動汽車，電力電子等行業(yè)的應(yīng)用場景，打開了新的可能性。