三星計劃2026年推出超400層V-NAND，2027年0a DRAM將采用VCT結(jié)構(gòu)

10月29日消息，據(jù)韓國經(jīng)濟日報報道，三星電子即將在存儲技術(shù)領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)重大突破，計劃在2026年推出堆疊層數(shù)超過400層的下一代V-NAND存儲技術(shù)，同時預(yù)計在2027年推出采用VCT(垂直通道晶體管)結(jié)構(gòu)的0a nm DRAM。這一消息標志著存儲技術(shù)的又一次重大飛躍，有望提升存儲密度、性能與能效。

據(jù)悉，三星的第10代V-NAND，被命名為BV(Bonding Vertical)NAND，計劃在2026年問世。其核心在于通過將存儲單元與外圍電路分開制造，并采用垂直鍵合的方式，優(yōu)化了傳統(tǒng)的CoP(Cell on Pillar)結(jié)構(gòu)。這種新結(jié)構(gòu)不僅可以防止在堆疊過程中對外圍電路的傷害，還能夠?qū)崿F(xiàn)高達60%的位密度提升。此外，三星還透露，未來的V11 NAND將在層數(shù)上進一步增加，并預(yù)計在I/O速率上實現(xiàn)高達50%的提升。三星電子存儲器業(yè)務(wù)負責(zé)人李禎培指出，這一技術(shù)進步可能讓我們最終見證千層堆疊的存儲解決方案，這對于數(shù)據(jù)中心、云計算和高性能計算等領(lǐng)域無疑將產(chǎn)生深遠影響。

在DRAM領(lǐng)域，三星同樣在不斷創(chuàng)新。根據(jù)三星的內(nèi)存路線圖，預(yù)計在2027年，三星將推出市場上第一代10nm以下的0a nm DRAM。這一技術(shù)將為用戶提供更高效的內(nèi)存解決方案。0a nm DRAM將采用VCT技術(shù)，構(gòu)建三維內(nèi)存結(jié)構(gòu)，進一步優(yōu)化內(nèi)存容量，同時顯著減少臨近單元之間的干擾，提升整體性能。此前，三星還透露，將在2025年推出1c nm DRAM和在2026年推出1d nm DRAM，這些都標志著其DRAM技術(shù)將朝著更高的集成度和更高的效能發(fā)展。

三星的這一系列創(chuàng)新不僅以數(shù)據(jù)和性能為支撐，更是為了提升實際用戶的體驗。新的V-NAND與DRAM技術(shù)將使智能設(shè)備的運行速度更快，應(yīng)用更加流暢，用戶不再需要擔(dān)心存儲不足或速度慢的問題。對于游戲玩家、創(chuàng)作者和數(shù)據(jù)分析師來說，這些技術(shù)改進意味著更短的加載時間和更高的多任務(wù)處理能力，極大提升了工作與娛樂的效率。

然而，存儲技術(shù)的快速發(fā)展同樣帶來了一些挑戰(zhàn)。例如，盡管新技術(shù)有助于提升性能，但同時也可能導(dǎo)致成本的增加，以及生產(chǎn)過程中對環(huán)境的影響。未來，如何在技術(shù)先進與可持續(xù)發(fā)展之間找到平衡，是產(chǎn)業(yè)界需要深思的問題。此外，隨著存儲市場的競爭日益激烈，其他品牌如長江存儲、鎧俠等也在不斷推出創(chuàng)新技術(shù)，如何在保持技術(shù)領(lǐng)先的同時，提供合理的價格和優(yōu)質(zhì)的服務(wù)，將是三星未來需要破解的又一難題。

總的來說，三星電子的這一系列存儲技術(shù)創(chuàng)新將為用戶帶來更加高效、穩(wěn)定的存儲解決方案。隨著技術(shù)的不斷進步，確定一個科學(xué)、合理的存儲方案將是每個用戶必須面對的挑戰(zhàn)和機遇。我們期待在未來的日子里，三星能夠繼續(xù)引領(lǐng)存儲技術(shù)的發(fā)展潮流，為用戶帶來更多驚喜和便利。