三星電子NRD-K半導體研發(fā)綜合體迎來重要里程碑：將導入ASML High NA EUV光刻設備

近日，三星電子在韓國器興園區(qū)隆重舉行了NRD-K新半導體研發(fā)綜合體的進機儀式，標志著這一占地10.9萬平方米的研發(fā)中心正式進入設備安裝階段。NRD-K半導體研發(fā)綜合體將成為三星電子DS部下屬三大事業(yè)部(存儲器、系統(tǒng)LSI和Foundry)的共同核心研發(fā)基地，預計到2030年，該項目將累計獲得約20萬億韓元(約合人民幣1039.2億元)的投資。

作為三星電子在半導體領域的又一重大布局，NRD-K研發(fā)綜合體不僅承載著推動技術創(chuàng)新的重要使命，更將引入一系列最先進的半導體生產工具，其中最為引人注目的便是ASML High NA EUV光刻設備。這款光刻機代表了當前半導體制造技術的最前沿，其NA值從標準的0.33提升至0.55，顯著增強了光刻機的解析能力，使得設備的分辨率從原來的13納米提升至8納米，甚至支持2nm及更小工藝的量產。

ASML High NA EUV光刻機的引入，對三星電子來說具有里程碑式的意義。這一先進的光刻技術能夠在微米級別進行極高精度的芯片制造，極大地優(yōu)化了電路圖形的細節(jié)刻畫，使得更復雜的芯片設計成為可能。NRD-K研發(fā)綜合體將利用這一技術，加速3D DRAM、千層V-NAND等下一代存儲芯片的開發(fā)，進一步提升存儲芯片的性能與功效。

據三星電子DS部負責人介紹，NRD-K研發(fā)綜合體不僅將建立從基礎研究到量產的下一代半導體技術的良性循環(huán)體系，還將包含一條研發(fā)專用線，該產線預計將于2025年中投入使用。這一舉措將大幅提高開發(fā)速度，縮短產品從研發(fā)到量產的時間，提高市場響應速度。

ASML High NA EUV光刻機的巨大體積和重量也使其運輸和安裝過程極為復雜。據悉，這臺光刻機的總重達150噸，相當于兩架空客A320客機的重量。為了確保這一龐大設備的安全運輸和安裝，三星電子與ASML密切合作，經過精心的策劃和準備，最終成功將其引入NRD-K研發(fā)綜合體。

隨著NRD-K研發(fā)綜合體的建設和ASML High NA EUV光刻設備的引入，三星電子在半導體領域的競爭力將得到進一步提升。這不僅鞏固了三星在存儲領域的技術領先地位，還將推動整個半導體產業(yè)鏈的創(chuàng)新與發(fā)展。未來，我們有理由期待三星電子在智能設備和存儲解決方案領域展現出更加強勁的創(chuàng)新實力與市場領導力。