納微發(fā)布全新4.5kW服務器電源方案，引領AI數(shù)據中心高效能時代

加利福尼亞州托倫斯，2024年8月1日 —— 下一代GaNFast?氮化鎵功率芯片和GeneSiC?碳化硅功率器件的行業(yè)領導者納微半導體(納斯達克股票代碼：NVTS)今日正式發(fā)布了其全新CRPS185 4.5kW AI數(shù)據中心服務器電源方案。該方案以超高的功率密度和效率，為全球AI數(shù)據中心的增長功率需求提供了創(chuàng)新解決方案。

這款全新電源方案圍繞納微旗下的GaNSafe?高功率氮化鎵功率芯片和GeneSiC?第三代快速碳化硅功率器件精心打造，實現(xiàn)了前所未有的137W/in3超高功率密度和超過97%的效率，這在全球范圍內均處于領先地位。納微半導體通過這一創(chuàng)新技術，不僅滿足了下一代AI GPU如英偉達Blackwell B100和B200等高功率計算需求，還極大地提升了數(shù)據中心的整體能效。

據了解，下一代AI GPU在進行高功率計算時，通常需要超過1kW的功率支持，是傳統(tǒng)CPU的三倍之多。為了滿足這一需求，每個數(shù)據中心機柜的功率規(guī)格預計將從目前的30-40kW提升至100kW。納微半導體的全新4.5kW電源方案正是在此背景下應運而生，它通過氮化鎵和碳化硅技術的混合設計，實現(xiàn)了在最小尺寸下為每個搭載AI GPU的機柜提升三倍功率的壯舉。

該方案的核心在于碳化硅技術和氮化鎵技術的完美結合。其中，碳化硅技術部署在交錯CCM圖騰柱PFC上，與搭載了氮化鎵技術的全橋LLC拓撲結構相結合，充分發(fā)揮了每種半導體技術的獨特優(yōu)勢。這種混合設計不僅實現(xiàn)了最高的頻率和最低的運行溫度，還顯著提升了電源的可靠性和魯棒性，進而達到了最高的功率密度和效率。

納微的650V第三代快速碳化硅MOSFETs采用了先進的“溝槽輔助平面柵”技術，能夠在不同溫度下為實際應用帶來最高系統(tǒng)效率和可靠性。而運用在LLC拓撲中的650V GaNSafe氮化鎵功率芯片，則憑借其高度集成的功率、保護、控制和驅動功能，以及出色的散熱性能和堅固耐用的TOLL封裝，成為了大功率應用的理想選擇。

此外，GaNSafe氮化鎵功率芯片還具備極低的開關損耗和高達800V的瞬態(tài)電壓性能，以及低門極電荷、低輸出電容和無反向恢復損耗等高速開關優(yōu)勢。這些特性進一步降低了電源中被動元件的尺寸、重量和成本，提高了系統(tǒng)的整體能效。

納微半導體首席執(zhí)行官兼聯(lián)合創(chuàng)始人Gene Sheridan表示：“飛速發(fā)展的AI正在顯著提升數(shù)據中心、處理器以及未來幾十年內AI相關領域的功率需求，這給功率半導體行業(yè)帶來了重大挑戰(zhàn)。納微半導體通過最新的GaNSafe技術和第三代快速碳化硅技術的結合，成功打造了世界上功率密度和效率最高的電源解決方案，為AI數(shù)據中心的發(fā)展提供了強有力的支持?！?/span>

目前，納微的3.2kW和4.5kW電源方案已經引起了市場的高度關注，已有超過30個數(shù)據中心客戶項目正在研發(fā)中。預計在未來一到兩年內，這些方案將為納微氮化鎵和碳化硅的營收帶來數(shù)百萬美元的增長。

納微半導體將繼續(xù)以其領先的技術和創(chuàng)新的解決方案，推動AI數(shù)據中心和高性能計算領域的發(fā)展，為全球客戶提供更加高效、可靠的電源解決方案。