納微發(fā)布全新4.5kW服務(wù)器電源方案，引領(lǐng)AI數(shù)據(jù)中心高效能時(shí)代

加利福尼亞州托倫斯，2024年8月1日 —— 下一代GaNFast?氮化鎵功率芯片和GeneSiC?碳化硅功率器件的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼：NVTS)今日正式發(fā)布了其全新CRPS185 4.5kW AI數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源方案。該方案以超高的功率密度和效率，為全球AI數(shù)據(jù)中心的增長功率需求提供了創(chuàng)新解決方案。

這款全新電源方案圍繞納微旗下的GaNSafe?高功率氮化鎵功率芯片和GeneSiC?第三代快速碳化硅功率器件精心打造，實(shí)現(xiàn)了前所未有的137W/in3超高功率密度和超過97%的效率，這在全球范圍內(nèi)均處于領(lǐng)先地位。納微半導(dǎo)體通過這一創(chuàng)新技術(shù)，不僅滿足了下一代AI GPU如英偉達(dá)Blackwell B100和B200等高功率計(jì)算需求，還極大地提升了數(shù)據(jù)中心的整體能效。

據(jù)了解，下一代AI GPU在進(jìn)行高功率計(jì)算時(shí)，通常需要超過1kW的功率支持，是傳統(tǒng)CPU的三倍之多。為了滿足這一需求，每個(gè)數(shù)據(jù)中心機(jī)柜的功率規(guī)格預(yù)計(jì)將從目前的30-40kW提升至100kW。納微半導(dǎo)體的全新4.5kW電源方案正是在此背景下應(yīng)運(yùn)而生，它通過氮化鎵和碳化硅技術(shù)的混合設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了在最小尺寸下為每個(gè)搭載AI GPU的機(jī)柜提升三倍功率的壯舉。

該方案的核心在于碳化硅技術(shù)和氮化鎵技術(shù)的完美結(jié)合。其中，碳化硅技術(shù)部署在交錯(cuò)CCM圖騰柱PFC上，與搭載了氮化鎵技術(shù)的全橋LLC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)相結(jié)合，充分發(fā)揮了每種半導(dǎo)體技術(shù)的獨(dú)特優(yōu)勢。這種混合設(shè)計(jì)不僅實(shí)現(xiàn)了最高的頻率和最低的運(yùn)行溫度，還顯著提升了電源的可靠性和魯棒性，進(jìn)而達(dá)到了最高的功率密度和效率。

納微的650V第三代快速碳化硅MOSFETs采用了先進(jìn)的“溝槽輔助平面柵”技術(shù)，能夠在不同溫度下為實(shí)際應(yīng)用帶來最高系統(tǒng)效率和可靠性。而運(yùn)用在LLC拓?fù)渲械?50V GaNSafe氮化鎵功率芯片，則憑借其高度集成的功率、保護(hù)、控制和驅(qū)動(dòng)功能，以及出色的散熱性能和堅(jiān)固耐用的TOLL封裝，成為了大功率應(yīng)用的理想選擇。

此外，GaNSafe氮化鎵功率芯片還具備極低的開關(guān)損耗和高達(dá)800V的瞬態(tài)電壓性能，以及低門極電荷、低輸出電容和無反向恢復(fù)損耗等高速開關(guān)優(yōu)勢。這些特性進(jìn)一步降低了電源中被動(dòng)元件的尺寸、重量和成本，提高了系統(tǒng)的整體能效。

納微半導(dǎo)體首席執(zhí)行官兼聯(lián)合創(chuàng)始人Gene Sheridan表示：“飛速發(fā)展的AI正在顯著提升數(shù)據(jù)中心、處理器以及未來幾十年內(nèi)AI相關(guān)領(lǐng)域的功率需求，這給功率半導(dǎo)體行業(yè)帶來了重大挑戰(zhàn)。納微半導(dǎo)體通過最新的GaNSafe技術(shù)和第三代快速碳化硅技術(shù)的結(jié)合，成功打造了世界上功率密度和效率最高的電源解決方案，為AI數(shù)據(jù)中心的發(fā)展提供了強(qiáng)有力的支持。”

目前，納微的3.2kW和4.5kW電源方案已經(jīng)引起了市場的高度關(guān)注，已有超過30個(gè)數(shù)據(jù)中心客戶項(xiàng)目正在研發(fā)中。預(yù)計(jì)在未來一到兩年內(nèi)，這些方案將為納微氮化鎵和碳化硅的營收帶來數(shù)百萬美元的增長。

納微半導(dǎo)體將繼續(xù)以其領(lǐng)先的技術(shù)和創(chuàng)新的解決方案，推動(dòng)AI數(shù)據(jù)中心和高性能計(jì)算領(lǐng)域的發(fā)展，為全球客戶提供更加高效、可靠的電源解決方案。