如何選擇與計(jì)算MCU最小系統(tǒng)電路中晶振電路的規(guī)格參數(shù)

作為一名硬件工程師，從接觸單片機(jī)的那天，就看到MCU的旁邊經(jīng)?？吹綍?huì)用到晶振，經(jīng)常的旁邊往往會(huì)放兩個(gè)電容，有時(shí)候還會(huì)再放個(gè)電阻，很多硬件工程師都是看別的工程師放多大的電容，電阻，自己也跟著放，這樣也沒錯(cuò)，但是知其然不知其所以然，對(duì)你的硬件水平提高是沒有任何幫助的，今天我們就講一下晶振電路，以及晶振外圍阻容器件的選型計(jì)算，下一篇文章會(huì)講晶振和MCU是否匹配已經(jīng)晶振常見問(wèn)題處理。

晶振電路

晶振電路有兩種，一種是Pierce電路，另外一種是Colpitts電路，其實(shí)就是兩種晶振拓?fù)?，比較常用的是Pierce電路。所以我們大概介紹一下Colpitts電路的特點(diǎn)就跳過(guò)了，采用Colpitts電路的晶振的缺點(diǎn)是晶振兩端會(huì)有雜散電抗，此時(shí)比較難考慮雜散電抗的影響，說(shuō)白了就是計(jì)算起來(lái)比較麻煩，電路可靠性也更低，還會(huì)在晶振兩端形成DC偏置電壓，優(yōu)點(diǎn)是電路有振幅限制，從而功耗更低，對(duì)外部電路輻射干擾更小。

我們重點(diǎn)要介紹的是Pierce電路，具體電路就是下圖這種形式，也是最常見的拓?fù)鋱D，該電路一般由非門電路(增益特別大的運(yùn)放)，反饋電阻，負(fù)載電容構(gòu)成，電容和晶振是外置的，一般要自己選型，運(yùn)放和反饋電阻一般集成在IC內(nèi)部，啟動(dòng)速度更快，可靠性更高，所以說(shuō)除非有很嚴(yán)苛的功耗要求，一般推薦使用此電路。

1)Rs是限流電阻，Rs的值越小，晶振啟動(dòng)速度越快，為了避免晶振過(guò)驅(qū)動(dòng)，Rs也不能過(guò)小，在高頻晶振中，Rs可以短路。

2)Rb是反饋電阻，為運(yùn)放輸入提供反饋，讓運(yùn)放工作在線性區(qū)，當(dāng)運(yùn)放工作在線性區(qū)時(shí)，晶振才能正常起振，當(dāng)然反饋電阻Rb也會(huì)影響運(yùn)放的環(huán)路增益，反饋電阻越大，增益越大。

阻容元件計(jì)算

1)負(fù)載電容計(jì)算

Cl=(C1*C2) / (C1+C2)+Cs+Cp

Cs就是晶振內(nèi)部的雜散電容，晶振規(guī)格書中一般會(huì)標(biāo)出該值，Cp就是PCB板上的走線以及晶振引腳的寄生電容，Cs和Cp的電容加起來(lái)總計(jì)2-8pF，最準(zhǔn)確的方法是通過(guò)測(cè)試晶振輸出波形來(lái)確認(rèn)負(fù)載電容是否合適。負(fù)載電容越大，晶振頻率越低。C1越大，反饋越弱，越不利于晶振起振，晶振就無(wú)法穩(wěn)定工作，當(dāng)然了反饋過(guò)強(qiáng)，會(huì)導(dǎo)致晶振過(guò)驅(qū)動(dòng)，也會(huì)有問(wèn)題。

大家需要注意的是負(fù)載電容一定要選用NP0或C0G電容才可以,溫度穩(wěn)定性更高，這樣頻率才會(huì)更穩(wěn)定。

2)反饋電阻計(jì)算

反饋電阻的作用是讓晶振電路的反相器工作在線性區(qū)，也就是下圖的陰影區(qū)時(shí)，這時(shí)候電路沒有飽和，屬于負(fù)反饋放大電路，才會(huì)穩(wěn)定持續(xù)工作，反饋電阻的作用就在這里，那么反饋電阻怎么計(jì)算呢?我查閱了很多文檔，都沒有給出計(jì)算公式，但是找到了一份配置表，大家可以參考。

今天我們就講到這里了，下一篇文章會(huì)講一下晶振電路和MCU的兼容性計(jì)算，這點(diǎn)非常重要，因?yàn)榫д耠娐返降仔胁恍羞€要看你選的MCU是否認(rèn)可，那么怎么通過(guò)計(jì)算確認(rèn)呢?敬請(qǐng)關(guān)注。轉(zhuǎn)載至硬件那些事兒，文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。