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業(yè)內(nèi)首顆!晶合集成1.8億像素全畫幅CIS芯片成功試產(chǎn)

時(shí)間:2024-08-20 11:40:14 瀏覽:63

近日,國內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體企業(yè)晶合集成宣布,其與國內(nèi)先進(jìn)設(shè)計(jì)公司思特威聯(lián)合研發(fā)的業(yè)內(nèi)首顆1.8億像素全畫幅(2.77英寸)CIS芯片已成功試產(chǎn)。這一里程碑式的成果不僅為高端單反相機(jī)應(yīng)用圖像傳感器市場(chǎng)提供了更多選擇,也標(biāo)志著全畫幅CIS技術(shù)進(jìn)入了全新的發(fā)展階段。

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據(jù)悉,這款1.8億像素全畫幅CIS芯片是晶合集成基于自主研發(fā)的55納米工藝平臺(tái),攜手思特威共同開發(fā)的光刻拼接技術(shù)的結(jié)晶。通過克服在像素列中拼接精度管控以及良率提升等難題,晶合集成成功突破了單個(gè)芯片尺寸所能覆蓋一個(gè)常規(guī)光罩的極限,確保了拼接后的芯片在納米級(jí)制造工藝中依然保持電學(xué)性能和光學(xué)性能的連貫一致。

該芯片不僅擁有1.8億超高像素,還具備8K 30fps PixGain HDR模式高幀率及超高動(dòng)態(tài)范圍等多項(xiàng)領(lǐng)先性能。其創(chuàng)新優(yōu)化的光學(xué)結(jié)構(gòu)能夠兼容不同光學(xué)鏡頭,顯著提升了產(chǎn)品在終端應(yīng)用的靈活性和適配能力。這一技術(shù)突破打破了日本索尼在超高像素全畫幅CIS領(lǐng)域的長(zhǎng)期壟斷地位,為本土產(chǎn)業(yè)發(fā)展注入了新的活力。

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晶合集成在CMOS圖像傳感器(CIS)產(chǎn)品上的持續(xù)加速推進(jìn),不僅滿足了市場(chǎng)對(duì)高性能CIS日益增長(zhǎng)的需求,也為全畫幅CIS技術(shù)的未來發(fā)展開辟了新道路。隨著8K高清化產(chǎn)業(yè)的不斷推進(jìn),高性能CIS的市場(chǎng)需求將持續(xù)擴(kuò)大。晶合集成此次成功試產(chǎn)的1.8億像素全畫幅CIS芯片,無疑將在高端單反相機(jī)市場(chǎng)占據(jù)一席之地,并有望推動(dòng)整個(gè)圖像傳感器行業(yè)的技術(shù)進(jìn)步和產(chǎn)業(yè)升級(jí)。

此外,晶合集成還計(jì)劃在未來進(jìn)一步擴(kuò)充產(chǎn)能,以滿足不斷增長(zhǎng)的市場(chǎng)需求。據(jù)悉,晶合集成預(yù)計(jì)于2024年在技術(shù)節(jié)點(diǎn)上圍繞55納米、40納米不同制程產(chǎn)品加速擴(kuò)充產(chǎn)能,并以高階CIS產(chǎn)品為擴(kuò)產(chǎn)主力。同時(shí),晶合集成還將逐步擴(kuò)充顯示驅(qū)動(dòng)芯片產(chǎn)能,提升國內(nèi)顯示驅(qū)動(dòng)芯片的自給率。

業(yè)內(nèi)專家表示,晶合集成此次成功試產(chǎn)1.8億像素全畫幅CIS芯片,不僅展現(xiàn)了其在半導(dǎo)體領(lǐng)域的強(qiáng)大技術(shù)實(shí)力,也為本土半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展注入了新的動(dòng)力。隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和市場(chǎng)的不斷擴(kuò)大,晶合集成有望在未來成為半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)之一。